说明：  AT45DB321D 是 2.7V、串行接口访问的 FLASH 存储器。对于非常高速的要求时它支持快速串行接口。 它兼容 SPI的66MHz频率。这有 34603008 位存储器组织成512或 528 字节的8192 页。加之主存储器，它 的两 SRAM 缓冲区每个为 512/528 字节。这个缓冲区允许在主存储器要重新编程时接收一页数据，来写一 个连续的数据流。 EEPROM 用(位或字节修改)用包含三步 读-编辑-写 操作非常容易。 不同传统 FLASH 内存， 它用多地址线和一个并行接口访问随意，而 DataFlash 用一个快速串行接口访问这的数据。简单串行访问 引人注目的是减少引脚数、使硬件容易设计、增加系统可靠性、缩小噪声和减小封装大小。这个芯片对高 密度、小引脚、低电压和低电源的要求在众多商业和工业使用是最好的。
(The AT45DB321 is a 2.7-volt only, serial interface Flash memory suitable for in-sys- tem reprogramming. Its 34,603,008 bits of memory are organized as 8192 pages of 528 bytes each. In addition to the main memory, the AT45DB321 also contains two SRAM data buffers of 528 bytes each. The buffers allow receiving of data while a page in the main memory is being reprogrammed. Unlike conventional Flash memo-)