s3c44b0ledxianshi
所属分类：嵌入式/单片机/硬件编程
开发工具：Unix_Linux
文件大小：194KB
下载次数：1
上传日期：2007-03-20 10:51:35
上 传 者：
jianqiping
说明： /*** *** *** *** *** *** *** *** *** *** *** *** **/
//**此映射表用来映射LED模块不译码时，显示的字符和必须输入的数据的关系
//**每段和对应比特位的关系见示意图
// g
// --- ---
// b | a |f | | <---显示0时点亮的段为gfedcb
// ---
// c | |e | | 那么写入数据为0x7e
// --- ---
// d
// bit: 7 6 5 4 3 2 1 0
// 段位： g f e d c b a
(/*****************************************///** mapping table to map LED module does not decoding, show characters and must import the data//** each and the corresponding bits see the relationship between the matrix// g//------// b | a | f)
文件列表:
LED (0, 2007-03-14)
LED\demo_led.mcp (50475, 2006-09-24)
LED\demo_led_Data (0, 2007-03-14)
LED\demo_led_Data\CWSettingsWindows.stg (3414, 2006-09-24)
LED\demo_led_Data\semihosted (0, 2007-03-14)
LED\demo_led_Data\semihosted\demo_led.axf (17272, 2006-09-11)
LED\demo_led_Data\semihosted\demo_led.bin (4100, 2006-09-11)
LED\demo_led_Data\semihosted\hm_boot.bin (310000, 2003-10-25)
LED\demo_led_Data\semihosted\ObjectCode (0, 2007-03-14)
LED\demo_led_Data\semihosted\ObjectCode\44BINIT.o (7184, 2006-09-11)
LED\demo_led_Data\semihosted\ObjectCode\main.o (22296, 2006-09-11)
LED\demo_led_Data\semihosted\TargetDataWindows.tdt (62700, 2006-09-24)
LED\Source (0, 2007-03-14)
LED\Source\44B.H (15710, 2003-10-26)
LED\Source\44BINIT.S (13840, 2003-10-26)
LED\Source\Def.h (1049, 2003-10-26)
LED\Source\main.c (6465, 2004-10-27)
LED\Source\Memcfg.s (2855, 2003-10-26)
LED\Source\OPTION.H (1132, 2003-10-26)
LED\Source\OPTION.s (1096, 2003-10-26)
/********************************************************************/
关于LED的基本物理原理和特性
通常使用的是半导体发光二极管，它和注入式半导体激光器类似，也是一个PN结，
也是利用外电源向PN结注入电子来发光的。只是它的结构公差没有激光器那么严格，
而且无粒子数反转、谐振腔等条件要求。所以，所发出的光不是激光，而是荧光。
由于它的结构简单，体积小，工作电流小，使用方便，成本低，所以在光电系统中
应用得也极为普遍。发光二极管按发光波长来分，有红外发光二极管和可见光发光
二极管（LCD）两种。它们的结构原理都是类似的，下面着重以红外发光二极管为
例作一介绍。发光二极管的发光原理同样可以用PN结的能带结构来解释。制作半导
体发光二极管的材料是重掺杂的，热平衡状态下的N区有很多迁移率很高的电子，
P区有较多的迁移率较低的空穴。由于PN结阻挡层的限制，在常态下，二者不能发生
自然复合。，而当给PN结加以正向电压时，沟区导带中的电子则可逃过PN结的势垒进
入到P区一侧。于是在PN结附近稍偏于P区一边的地方，处于高能态的电子与空穴相遇
时，便产生发光复合。这种发光复合所发出的光属于自发辐射，辐射光的波长决定于
材料的禁带宽度Eg，即λ＝1.24μm?eV/Eg。由于不同材料的禁带宽度不同，所以由
不同材料制成的发光二极管可发出不同波长的光。另外，有些材料由于组分和掺杂不
同，例如，有的具有很复杂的能带结构，相应的还有间接跃迁辐射等，因此有各种各
样的发光二极管。通过发光二极管的电流与加到二极管两端电压之间的关系，称为发
光二极管的伏安特性。当加载的电压大于开启电压时，二极管导通发光。反之，二极
管截止不发光。开启电压的大小与材料、工艺等因素有关。一般GaAs管的开启电压约
为1.3V；GaP管的开启电压约为2V；GaAsP管的开启电压约为1.6V；GaAlAs管的开启电
压约为1.55V。发光二极管的发光亮度，基本上是正比于电流密度的，一般管的发光亮
度都与电流密度成正比例，只有”GaP红”的发光亮度略有随电流密度的增加而趋于饱
和的现象。亮度正比于电流密度这种性质，对于采用脉冲驱动的方式是很有利的，它
可以在平均电流与直流电流相等的情况下，获得很高的亮度。另外，LED的一些特性还
和温度、方向有关，在此不一一赘述。LED可用来用作电源灯、故障灯、系统运行灯等，
也可作为一种输出手段，用于显示符号和数字，如大型屏幕显示和广告标志等。实际
应用中，最简单的控制LED的办法就是直接通过一个I/O口输出高电平或低电平，但是
如果使用很多LED阵列，特别是要用大型的LED阵列时，还是用专用芯片更常见。
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//**此映射表用来映射LED模块不译码时，显示的字符和必须输入的数据的关系
//**每段和对应比特位的关系见示意图
// g
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// b | a |f | | <---显示0时点亮的段为gfedcb
// ---
// c | |e | | 那么写入数据为0x7e
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// d
// bit: 7 6 5 4 3 2 1 0
// 段位： g f e d c b a
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