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关于内存的一些概念 原著:阿鸣 1.何为内存模块 (Memory Module)? 内存模块是指一个印刷电路板表面上有镶嵌数个记忆体芯片chips,而这内存芯片通常是DRAM芯片,但近来系统设计也有使用快取隐藏式芯片镶嵌在内存模块上内存模块是安装在PC 的主机板上的专用插槽(Slot)上镶嵌在Module上DRAM芯片(chips)的数量和个别芯片(chips)的容量,是决定内存模块的设计的主要因素。
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内容介绍
关于内存的一些概念 原著:阿鸣 1.何为内存模块 (Memory Module)? 内存模块是指一个印刷电路板表面上有镶嵌数个记忆体芯片chips,而这内存芯片通常是DRAM芯片,但近来系统设计也有使用快取隐藏式芯片镶嵌在内存模块上内存模块是安装在PC 的主机板上的专用插槽(Slot)上镶嵌在Module上DRAM芯片(chips)的数量和个别芯片(chips)的容量,是决定内存模块的设计的主要因素。 2.什么是Parity? 早先所使用的存储器数据检错方式是Parity Check,其是以每8比特增加1比特的方式进行检错。因此若是具备Parity的存储器,其数据宽度将比非parity的存储器为大。不过若以Parity的检错方式看,其多出的奇偶位事实上只用于分辨奇数或偶数个比特数。这种方式仅能得知是某一位发生错误,并无法确定是哪一个位置发生错误,而且无法运用在双数位的检错上。 3.什么是ECC? ECC是另一种更为进步的存储器数据检错机制。其工作的方式与Parity不同,并不是采用单一比特的方式来进行检错,而是采用数据块(block)概念与复杂的演算方法来修正数据。因此不仅能检测多位比特错误,还能进行修正单一比特的错误。 4.SPD的作用是什么? 为Serial Presence Detect 的缩写,它是烧录在EEPROM内的码,以往开机时BIOS必须侦测memory,但有了SPD就不必再去作侦测的动作,而由BIOS直接读取 SPD取得内存的相关资料。 5.JEDEC是一个什么样的组织? JEDEC中文全称是电子工程设计发展联合会议,他是一个JEDEC大部分是由从事设计、发明的制造业尤以有关计算机记忆模块所组成的一个团体财团,一般工业所生产的记忆体产品大多以JEDEC所制定的标准为评量。 6.只读存储器(ROM)的概念? ROM是一种只能读取而不能写入资料之记燱体,因为这个特所以最常见的就是主机板上的 BIOS (基本输入/输出系统Basic Input/Output System)因为BISO是计算机开机必备的基本硬件设定用来与外围做为低阶通信接口,所以BISO之程式烧录于ROM中以避免随意被清除资料。 7.什么是EEPROM? 它的英文全称是:Electrically Erasable Programmable ROM,是一种将资料写入后即使在电源关闭的情况下,也可以保留一段相当长的时间,且写入资料时不需要另外提高电压,只要写入某一些句柄,就可以把资料写入内存中了。 8.何为EPROM? 英文全称为Erasable Programmable ROM,为一种可以透过紫外线的照射将其内部的资料清除掉之后,再用烧录器之类的设备将资料烧录进 EPROM内,优点为可以重复的烧录资料。 9.什么是PROM? 又叫程序规画的只读存储器,是一种可存程序的内存,因为只能写一次资料,所以它一旦被写入资料若有错误,是无法改变的且无法再存其它资料,所以只要写错资料这颗内存就无法回收重新使用。 10.什么是MASK ROM? 是制造商为了要大量生产,事先制作一颗有原始数据的ROM或EPROM当作样本,然后再大量生产与样本一样的 ROM,这一种做为大量生产的ROM样本就是MASK ROM,而烧录在MASK ROM中的资料永远无法做修改。 11.什么是RAM? RAM是Random Access Memory的缩写,是一种可被读取和写入的内存,我们在写资料到RAM记忆体时也同时可从RAM读取资料,这和ROM内存有所不同。但是RAM必须由稳定流畅的电力来保持它本身的稳定性,所以一旦把电源关闭则原先在RAM里头的资料将随之消失。 12.什么是DRAM? DRAM 是Dynamic Random Access Memory 的缩写,通常是计算机内的主存储器,它是而用电容来做储存动作,但因电容本身有漏电问题,所以内存内的资料须持续地存取不然 信息会丢失。 13.何为FPM DRAM? Fast Page Mode DRAM是改良的DRAM,大多数为72IPN或30PIN的模块,FPM 将记忆体内部隔成许多页数Pages,从512 bite 到数 Kilobytes 不等,它特色是不需等到重新读取时,就可读取各page内的资 料。 14.什么是EDO DRAM? 英文全称是Extended Data Out DRAM 。EDO的存取速度比传统DRAM快10%左右,比FPM快12到30倍一般为72PIN、168PIN的模块。 EDO DRAM采用一种特殊的内存读出电路控制逻辑,在读写一个地址单元时,同时启动下一个连续地址单元的读写周期。从而节省了重选地址的时间,使存储总线的速率提高到40MHz。 15.什么是SDRAM? Synchronous DRAM 是一种新的DRAM架构的技术;它运用晶片内的clock使输入及输出能同步进行。所谓clock同步是指记忆体时脉与CPU的时脉能同步存取资料。SDRAM节省执行指令及数据传输的时间,故可提升计算机效率。 16.什么是DDR? DDR(Double Data Rate),是目前SDRAM的更新产品,DDR的核心建立在SDRAM的基础上,但在速度和容量上有了提高。与 SDRAM相比有两个不同点:(1)它使用了更多、更先进的同步电路。(2)DDR使用了Delay-Locked Loop (DLL,延时锁定回路)来提供一个数据滤波信号(DataStrobe signal)。当数据有效时,存储器控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据,每16次输出一次,并重同步来自不同的双存储器模块的数据。 DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高 SDRAM的速度,它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据,因而其速度是标准SDRAM的两倍。DDR可以使用更高的频率,它很快会出现在市场上。 17.何为DDRII? DDRII 是DDR原有的SLDRAM联盟于1999年解散后将既有的研发成果与DDR整合之后的未来新标准。SLDRAM也许是在速度上最接近RDRAM的竞争者。 SLDRAM是一种增强和扩展的SDRAM架构,它将当前的 4体(Bank)结构扩展到16体,并增加了新接口和控制逻辑电路。SLDRAM像SDRAM一样使用每个脉冲沿传输数据。 18.什么是RDRAM ?  RDRAM是Rambus公司开发的具有系统带宽,芯片到芯片接口设计的新型DRAM,它能在很高的频率范围下通过一个简单的总线传输数据。RDRAM使用低电压信号,在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。另外,RDRAM使用的是8位接口。十几家内存条生产大厂如 NEC、东芝、三星、 TI、日立、Micron、富士通、IBM等已取得Rambus的技术授权,参与RDRAM技术开发,并投入生产制造。在 1996年末,Rambus公司同Intel公司签定了合约,Intel也将在其未来的芯片组中开始支持RDRAM。 19.什么是DRDRAM? 它属于第二代RDRAM,在处理图形和多媒体程序时可以达到非常高的带宽,即使在寻找小的、随机的数据块时也能保持相同的带宽。作为RDRAM的增强产品,它在同步并发块数据导向、交叉传输时更有效,在600MHz的频率下可达到每个通道 600MB/s的数据传输率。另外,Concurrent Rambus同其前一代产品兼容。预计其速度不久可达到800MHz。 20.什么SRAM? SRAM即是静态随机处理内存,是Static Random Access Memory 的缩写,通常比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定。所谓静态的意义是指内存资料可以常驻而不须随时存取。因为此种特性,静态随机处理内存通常被用来做高速缓存。 21.什么是高速缓存? Cache Ram为一种高速度的内存是被设计用来处理运作CPU。快取记忆体是利用 SRAM 的颗粒来做内存。因连接方式不同可分为一是外接方式(External)另一种为内接方式(Internal)。外接方式是将内存放在主机板上也称为Level 1 Cache而内接方式是将内存放在CPU中称为Level 2 Cache。 22.什么是FLASH内存? Flash内存比较像是一种储存装置,因为当电源关掉后储存在Flash内存中的资料并不会流失掉,在写入资料时必须先将原本的资料清除掉,然后才能再写入新的资料,缺点为写入资料的速度太慢。 23.什么叫重新标示过的内存模块(Remark Memory Module)? 在内存市场许多商家都会贩售重新标示过的内存模块,所谓重新标示过的内存模块就是将芯片Chip上的标示变更过,使其所显示出错误的讯息以提供商家赚取更多的利润。一般说来,业者会标示成较快的速度将( -7改成-6)或将没有厂牌的改为有厂牌的。要避免购买到这方面的产品,最佳的方法就是向好声誉的供货商来购买顶级芯片制造商产品。 24.什么是内存的充电 (Refresh) ? 主存储器是DRAM组合而成,其电容需不断充电以保持资料的正确,内存的刷新频率是DRAM的一项很重要的参数,一般有2K与4K Refresh的分类,而2K比4K有较快速的Refresh但2K比4K耗电。 25.如何判断一条内存是PC100规格? 对于PC100的内存条,国际上的JEDEC和INTEL(CMTL)标准均有较为严格的规定,而不仅仅是工作时钟周期达到10ns就可以称为PC100内存。较为典型的一个参数是Tac,即数据的存取时间,PC100规定,该参数值6ns,亦即若有一内存条,其时钟周期为10ns但Tac仅支持7ns,此时该内存不能称为PC100内存条。 26.PC133一定比PC100快吗? 不一定。目前市面上主流的PC133-333的芯片和PC100-222的芯片比较,我们知道在当内存进行读取操作时,其完成读操作时间为TCL+TRCD+TRP+1个时钟周期,以此公式计算PC133-333内存完成一次读操作的时间为3+3+3+1=10个时钟即75NS,而PC100-222的内存完成操作只需2+2+2+1=7个时钟即70NS,PC133-333不见得比PC100-222快,但在这种读方式下(BL=1)是如此,在其它方式下(如BL=4\8)就是PC133的快。 27.什么是内存CAS的延迟时间? 所谓CAS延迟时间,就是指内存纵向地址脉冲的反应时间。CAS延迟时间是在一定频率下衡量支持不同规范内存的重要标志之一。在Intel公司的PC100内存技术白皮书中指出:“符合PC100标准的内存芯片应该以CAS Latency(以下简称CL)= 2的情况稳定工作在100MHZ的频率下。”CL=2所表示的意义是此时内存读取数据的延迟时间是两个时钟周期当CL=3时。内存读取数据的延迟时间就应该是三个时钟周期。 28.什么是内存的数据带宽? 所谓数据带宽就是内存的数据传输速度,它是衡量内存性能的重要标准。通常情况下,PC100的SDRAM在额定频率(100MHZ)下工作时,其峰值传输速度可以达到800MB/秒。工作在133MHZ下的PC133内存,其峰值传输速度已经达到了1.06GB/秒,这一速度比PC100内存提高了200MB/S,在实际使用中,其性能的提高是很明显的。对于DDR内存而言,由于在同一个时钟的上升和下降沿都能传输数
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