DS18B20.rar

#define MAIN_Fosc 11059200L //定义主时钟 #include "STC15Fxxxx.H" #include <intrins.h> /* use _nop_() function */ #define OUT 0 #define IN 1 u16 qqq; u16 temp=0; // 定义一个变量，存储温度值 sbit DQ=P1^6; unsigned char xdata temp_data[2]={0x00,0x00};//读出温度暂放 char xdata Dis_play[8]={0,0,0,0,0,0,0,0}; /****************************/ void delayus(u16 us) { u16 i; for(i=0;i<(us);i++){ } } /******************************************************************************************* 一、初始化 在初始化序列期间，总线控制器拉低总线并保持480us（改延时可以在480~960us之间，但需要在480us以内释放总线） 以发出一个复位脉冲，然后释放总线，进入接收状态（等待DS18B20应答）。总线释放后，单总线由上拉电阻拉到高电平。 当DS18B20探测到I/O引脚上的上升沿后，等待15-60us，然后其以拉低总线60-240us的方式发出存在脉冲。至此，初始化时序完毕。 　　DS18B20的时序及代码解析 　　初始化代码，初始化代码写至此，其实我们便可以用数码管显示来检验初始化是否成功（即DS18B20有应答）， 数码管显示”0“，初始化失败，显示”1“，则初始化成功。 **********************************************************************************************/ u8 DS18B20_init(void) { u8 ack=1; DQ=0;//主机拉低总线 delayus(395);//延时495us DQ=1;//释放总线，同时IO口产生的上升沿能被DS18B20所检测到 delayus(50); //延时大于60us，确保接下来DS18B20能发出60~240us的存在脉冲应答 //在此60~240us之内DQ被DS18B20所占用，若存在，则其会发送一个低电平信号， //DQ被DS18B20拉低，则ack为0，反之为1 ack=DQ; delayus(140);//延时达240us，让DS18B20释放总线 DQ=1; return ack; } /************************************************************************************************** 二、DS18B20的写时序 　　主机在写时隙向DS18B20写入数据，其中分为写”0”时隙，和写”1”时隙。总线主机使用写“1”时间隙向DS18B20写入逻辑1， 使用写“0”时间隙向DS18B20写入逻辑0.所有的写时隙必须有最少60us的持续时间，相邻两个写时隙必须要有最少1us的恢复时间。 两种写时隙都通过主机拉低总线产生（见下图）为了产生写1时隙。在拉低总线后主机必须在15μs内释放总线。在总线被释放后， 由于上拉电阻将总线恢复为高电平。为了产生写”0”时隙，在拉低总线后主机必须继续拉低总线以满足时隙持续时间的要求（至少60μs）。 　　在主机产生写时隙后，DS18B20会在其后的15~60us的一个时间段内采样单总线（DQ）。在采样的时间窗口内，如果总线为高电平， 主机会向DS18B20写入1；如果总线为低电平，主机会向DS18B20写入0。 　　综上所述，所有的写时隙必须至少有60us的持续时间。相邻两个写时隙必须要有最少1us的恢复时间。所有的写时隙（写0和写1） 都由拉低总线产生。 　　DS18B20的时序及代码解析 　　DS18B20的写时序代码 ：写字节函数、由低位至高位，向DS18B20写入一个字节的数据。无返回值，形参byte是待写入的字节数据， 读取8次，移位8次，保证每位都传输至DQ。 ****************************************************************************************************/ void DS18B20_write_byte(u8 byte) { u8 i; u8 j=0; for(i=0;i<8;i++) { DQ=0;//拉低总线，产生写时隙 //j++;//大于1us的延时 NOP2();//15us之内释放总线 DQ=1; // j++;//适当延时用 NOP2(); DQ=byte & 0x01;//将字节低位写入单总线 delayus(30);//在15~60us内等待DS18B20来采集信号 DQ=1;//释放总线 byte>>=1;//每次将要读取的数据位移至最低位， NOP2(); //if(j>16)j=0; } } /******************************************************************************************************** 三、DS18B20的读时序 　　主机发起读时序时，DS18B20仅被用来传输数据给控制器。因此，总线控制器在发出读暂存器指令［0xBE］或读电源 模式指令［0xB4］后必须立刻开始读时序,DS18B20可以提供请求信息。除此之外，总线控制器在发出发送温度转换指令［0x44］ （或召回EEPROM指令［0xB8］）之后读时序，详见DS18B20 的芯片手册上的功能指令。 　　所有读时序必须最少60us，包括两个读周期间至少1us的恢复时间。当总线控制器把数据线从高电平拉到低电平时， 读时序开始，数据线必须至少保持1us，然后总线被释放。DS18B20 通过拉高或拉低总线上来传输”1”或”0”。当传输逻辑”0”结束后， 总线将被释放，通过上拉电阻回到上升沿状态。从DS18B20输出的数据在读时序的下降沿出现后15us 内有效。因此， 总线控制器在读时序开始后必须停止把I/O口驱动为低电15us，以读取I/O口状态。 　　DS18B20的时序及代码解析 　　DS18B20的读时序的代码 ：读字节函数、由低位至高位，读取DS18B20所采集到的数据。带返回值，可结合前面的写时序， 对写、读数据函数进行检验（后面会提到检验过程及效果）byte 是读取到的字节数据。其中，此函数读取8次，移位7次（实际移位8次）。 **********************************************************************************************************/ u8 DS18B20_read_write(void) { u8 i; u8 byte;//byte为要接收到的数据 u8 j=0; for(i=0;i<8;i++) { //产生读时序 DQ=0; // j++;//简单延时 NOP2(); DQ=1;//释放总线，有从机DS18B20占用 byte>>=1; //先进行移位 NOP2();//j++; if(DQ!=0)//让DS18B20占用总线，发出采集到的信号 byte |=0x80;//若DQ=1，则让当前byte最高位为1，在下次循环中移位至次高位，最后达到从低位到高位接收的目的； //若DQ=0，则可跳过此语句，直接在下次循环对byte 进行移位补0。以上操作15us以内完成 delayus(30);//延时60us DQ=1; NOP2(); //if(j>16)j=0; } return byte; } /*************************************************************** 启动一次 18B20 温度转换，返回值-表示是否启动成功 ****************************************************************/ u8 Start18B20(void) { u8 ack; ack = DS18B20_init(); //执行总线复位，并获取 18B20 应答 if (ack == 0){ //如 18B20 正确应答，则启动一次转换 DS18B20_write_byte(0xCC); //跳过 ROM 操作 DS18B20_write_byte(0x44); //启动一次温度转换 } return ack; //ack==0 表示操作成功 } /**************************************************************** 读取 DS18B20 转换的温度值，返回值-表示是否读取成功 ****************************************************************/ u8 Get18B20Temp(u16 *temp) { u8 ack; unsigned char LSB, MSB; //16bit 温度值的低字节和高字节 ack = DS18B20_init(); //执行总线复位，并获取 18B20 应答 if (ack == 0){ //如 18B20 正确应答，则读取温度值 DS18B20_write_byte(0xCC); //跳过 ROM 操作 DS18B20_write_byte(0xBE); //发送读命令 LSB = DS18B20_read_write(); //读温度值的低字节 MSB = DS18B20_read_write(); //读温度值的高字节 *temp = ((int)MSB << 8) + LSB; //合成为 16bit 整型数 } return ack; //ack==0 表示操作应 } /*************温度数据处理*****************/ void tem_deal(u16 tem) { fp32 t; t=tem; if(tem>6348) // 温度值正负判断 { tem=65536-tem; tem = tem*6.25; Dis_play[0]=tem/10000; //百位 Dis_play[1]=tem%10000/1000; //十位 Dis_play[2]=tem%1000/100; //个位 Dis_play[4]=tem%100/10; Dis_play[0]='-'; //负号 /* if(Dis_play[1]==0)Dis_play[0]=' '; else Dis_play[1]+=0x30; //十位 Dis_play[2]+=0x30; //个位 Dis_play[4]=Dis_play[3]+0x30; Dis_play[3]=0x2E; //小数点 Dis_play[5] =0xdf; Dis_play[6] ='C';*/ } else { tem = tem*6.25; //减去误差2度 Dis_play[0]=tem/10000; //百位 Dis_play[1]=tem%10000/1000; //十位 Dis_play[2]=tem%1000/100; //个位 Dis_play[3]=tem%100/10; /* if(Dis_play[0]==0)Dis_play[0]=' '; else Dis_play[0]+=0x30; //百位 if((Dis_play[0]==' ')&&(Dis_play[1]==0)){ Dis_play[1]=' '; }else Dis_play[1]+=0x30; //十位 Dis_play[2]+=0x30; Dis_play[4]=Dis_play[3]+0x30;//小数显示 Dis_play[3] ='.';//个位加小数点 Dis_play[5] =0xdf; Dis_play[6] ='C';*/ } } //////////////////////////////////////END///////////////////////////////